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还在寻找一颗能兼顾高效率、小体积与强驱动能力的MOSFET吗？DMN2046U-13正是为您量身打造的解决方案。这颗20V/3.4A的N沟道MOSFET，凭借其低至72毫欧的导通电阻和仅需2.5V即可充分开启的特性，能显著降低开关损耗和驱动复杂度，让您的电源电路运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松实现精准的负载切换与功率控制，特别适用于电池供电设备、端口保护及DC-DC转换器等场景。其SOT-23的超小封装，为您节省宝贵的电路板空间，而宽广的工作温度范围则确保了在各种环境下的可靠表现。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMN2046U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:292 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2046U-13，Diodes产品一站式供应商。