我们为全球各个行业提供Diodes DMN2046U-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的功率开关吗？DMN2046U-7正是为您而生的答案。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达3.4A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值72毫欧@4.5V Vgs），能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用易于焊接的SOT-23表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间。同时，极低的栅极电荷和输入电容，让驱动变得异常轻松，有效提升开关速度，优化动态性能。无论是用于电源转换、电机控制还是负载开关，DMN2046U-7都能以出色的能效和可靠性，助您轻松实现设计目标，打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMN2046U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:292 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2046U-7，Diodes产品一站式供应商。