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还在寻找那颗能兼顾高性能与小体积的“核心开关”吗？DMN2050L-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压与5.9A的连续电流能力，却能被轻松安置在微小的SOT-23-3封装内，让您的设计瞬间释放宝贵的PCB空间。

它凭借低至29毫欧的导通电阻和优化的栅极驱动特性，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源模块或电机驱动电路的效率。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，它都能让您的系统运行得更凉爽、更持久、更可靠。

选择它，就是选择了一种更高效、更紧凑的解决方案，让您轻松应对各类便携式、高密度电子设备的开发挑战。

• 型号:DMN2050L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:532 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2050L-7，Diodes产品一站式供应商。