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还在为复杂的功率开关设计而烦恼吗？DMN2050LFDB-7双N沟道MOSFET阵列，就是您简化设计、提升效率的得力助手。它集成了两个逻辑电平驱动的MOSFET，让您仅用一颗芯片就能轻松控制两路负载，大幅节省电路板空间。

这颗芯片能为您做什么？它让您以极低的导通电阻（仅45毫欧）高效通过3.3A电流，显著减少功率损耗和发热。其快速的开关特性与低栅极电荷，确保了系统响应迅捷，能耗更低。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载切换，DMN2050LFDB-7都能帮助您构建更紧凑、更可靠、性能更优异的产品。

• 型号:DMN2050LFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:389pF @ 10V
• 功率 - 最大值:730mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMN2050LFDB-7，Diodes产品一站式供应商。