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您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时确保极端环境稳定性的功率开关吗？DMN2050LQ-7正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达5.9A的电流处理能力，其核心魅力在于仅29毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，直接转化为更低的发热和更高的能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它采用紧凑的SOT-23封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其快速的开关特性（低栅极电荷）让高频开关应用变得轻松高效。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，它都能提供稳定可靠的性能。更重要的是，它符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，确保您的设计即使面对严苛的汽车或工业环境也能应对自如。

• 型号:DMN2050LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:532 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2050LQ-7，Diodes产品一站式供应商。