我们为全球各个行业提供Diodes DMN2053UVT-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的双路开关电路占用大量板面而烦恼吗？DMN2053UVT-13为您提供一站式高效解决方案！这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，将两个高性能开关集成于一个微小的TSOT-26封装内，让您轻松实现紧凑、高效的电路设计。

它能让您的系统运行得更“冷静”、更持久。凭借仅35毫欧的超低导通电阻，它在处理高达4.6A电流时，能大幅减少功率损耗和发热，直接提升能效和可靠性。同时，其快速的开关特性（栅极电荷仅3.6nC）确保了出色的响应速度，无论是用于电源管理、负载开关还是电机驱动，都能让您的产品性能快人一步。

从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，赋予了它应对各种严苛环境的强大能力。选择DMN2053UVT-13，就是选择用更少的空间和功耗，释放更大的产品潜能。

• 型号:DMN2053UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:369pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMN2053UVT-13，Diodes产品一站式供应商。