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还在寻找一颗能同时搞定高电流和紧凑布局的功率开关吗？DMN2053UVT-7正是为您而来的解决方案。这颗双N通道MOSFET拥有4.6A的强大电流处理能力和低至35毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的电源管理或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它采用超薄的TSOT-26封装，为您宝贵的PCB面积腾出空间，非常适合空间受限的便携式设备。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，让您轻松实现高频、高效的电路设计。无论是提升现有产品的能效，还是攻克新项目的设计难关，DMN2053UVT-7都是您值得信赖的得力助手。

• 型号:DMN2053UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:369pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMN2053UVT-7，Diodes产品一站式供应商。