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还在为空间有限的电路板寻找一颗“小身材、大能量”的开关核心吗？DMN2058UW-7正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压和3.5A的持续电流能力，能轻松驾驭各种低压大电流的开关任务，无论是电源路径管理还是电机驱动，都能让您的系统运行得更流畅、更高效。

它的卓越之处在于极低的导通损耗。在10V驱动下，导通电阻仅42毫欧，意味着更少的能量浪费在发热上，直接为您带来更长的设备续航和更低的温升。同时，其SOT-323微型封装为您节省了宝贵的PCB空间，而1.8V的低驱动门槛让它与现代低功耗MCU无缝对接，大大简化了您的设计。选择它，就是为您的产品选择了可靠、高效与紧凑的完美结合。

• 型号:DMN2058UW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:281 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN2058UW-7，Diodes产品一站式供应商。