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还在为空间有限的PCB板寻找一款既能承载电流又高效节能的开关解决方案吗？DMN2065UW-7正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有20V耐压和2.8A的连续电流能力，能轻松胜任各种低压大电流的开关任务。

它的核心魅力在于极高的效率。仅56毫欧的超低导通电阻，意味着在导通时产生的热量和能量损耗极低，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。同时，极低的栅极电荷（5.4nC）确保了快速的开关速度，显著降低开关损耗，让您的系统整体能效大幅提升。无论是用于电源路径管理、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计更加高效、可靠。

采用微型SOT-323封装，它几乎不占用电路板空间，非常适合当今追求轻薄短小的各类便携式电子产品。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMN2065UW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:430mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN2065UW-7，Diodes产品一站式供应商。