我们为全球各个行业提供Diodes DMN2075U-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗既高效又小巧的功率开关而烦恼吗？DMN2075U-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能在20V电压下承载4.2A电流，并以低至38毫欧的导通电阻，让您的电路损耗大幅降低，效率显著提升。

它采用微型的SOT-23-3封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其优异的开关特性（栅极电荷仅7nC）让驱动设计变得异常轻松。无论是用于电池保护、负载开关还是DC-DC转换，它都能让您的系统运行更凉爽、更持久、更可靠。

• 型号:DMN2075U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:594.3 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2075U-7，Diodes产品一站式供应商。