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还在为电路板上的空间和效率发愁吗？DMN2075UDW-7就是您的高效解决方案。这颗N沟道MOSFET能在仅1.5V的低驱动电压下高效开启，以最高2.8A的电流承载能力和低至48毫欧的导通电阻，让您的电源路径损耗大幅降低，系统整体能效显著提升。

它专为空间受限的高性能应用而生。采用超小的SOT-363表面贴装封装，能轻松融入智能手机、平板电脑、便携式设备及各种高密度模块的设计中。其优异的开关特性（栅极电荷仅7nC）让开关速度更快，损耗更小，直接助力您的产品实现更长的续航与更冷静的运行。

无论是负责负载开关、电机驱动，还是DC-DC转换器中的同步整流，DMN2075UDW-7都能以稳定可靠的表现为您的设计保驾护航，让您轻松实现更紧凑、更高效、更具竞争力的终端产品。

• 型号:DMN2075UDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:594.3 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-363
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• DMN2075UDW-7，Diodes产品一站式供应商。