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还在寻找一颗能兼顾高效能与小体积的功率开关吗？DMN2100UDM-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压和3.3A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于低至55毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更长久。

它采用先进的MOSFET技术，仅需1.5V的低驱动电压即可高效开启，让您的控制电路设计变得异常轻松。同时，SOT-26的超小型封装为您节省宝贵的PCB空间，非常适合集成到各类便携式电子产品中。无论是用于电源路径管理、电机驱动还是负载开关，DMN2100UDM-7都能以卓越的稳定性和高效率，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMN2100UDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:555 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• DMN2100UDM-7，Diodes产品一站式供应商。