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还在为空间有限的电路板寻找一颗既强劲又高效的开关核心吗？DMN2104L-7正是您理想的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，能在仅SOT-23-3的微小身躯内，为您提供高达4.3A的连续电流处理能力和低至53毫欧的导通电阻，让您的电源管理或电机驱动方案效率倍增，功耗锐减。

它采用先进的MOSFET技术，具备20V的耐压和宽泛的工作温度范围，确保在各种应用环境中稳定可靠。极低的驱动电压要求（Vgs(th)最大仅1.4V）让您能轻松实现高效控制。选择它，就是为您的设计选择了一颗经过验证的、能显著提升整体性能的动力“心脏”。

• 型号:DMN2104L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:53 毫欧 @ 4.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:325 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2104L-7，Diodes产品一站式供应商。