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您正在设计下一代便携设备，并为如何平衡性能、尺寸与功耗而绞尽脑汁吗？让DMN2120UFCL-7来为您分忧。这颗高性能N沟道MOSFET，专为20V/1.8A以内的低电压开关应用而生，它能以极低的驱动电压（最低1.8V）快速响应，实现高效的电能路径管理，显著降低系统待机与运行功耗。

凭借其超低的栅极电荷和导通电阻，它能大幅减少开关损耗和导通压降，让您的电源设计更高效、更凉爽。其微型化的6UDFN表面贴装封装，能轻松融入最紧凑的PCB布局，是智能穿戴、IoT传感器、便携式消费电子等空间受限产品的理想选择。选择它，就是选择了一种让设计更轻松、让产品更具竞争力的可靠方案。

• 型号:DMN2120UFCL-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Software Configurable Input/Output
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1900-5000 CMA
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Software Configurable Input/Output
• 封装/外壳:6-PowerUFDFN
• DMN2120UFCL-7，Diodes产品一站式供应商。