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还在为电路板空间紧张而发愁吗？DMN2170U-7这款N沟道MOSFET，就是您小型化、高效能设计的理想答案。它能在紧凑的SOT-23-3封装内，为您提供20V耐压和2.3A的电流处理能力，让您的电源管理或开关电路设计更加游刃有余。

这颗芯片的核心价值在于其出色的效率。极低的导通电阻（典型值70mΩ）意味着更少的导通损耗和更低的发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。其宽广的工作温度范围和较低的驱动电压需求，进一步确保了在各种应用环境下的稳定性和易用性。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、让性能更出众的轻松方案。

• 型号:DMN2170U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:217 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2170U-7，Diodes产品一站式供应商。