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还在为电路板上的空间捉襟见肘而烦恼吗？DMN21D1UDA-7B就是您梦寐以求的微型高效开关解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，能轻松胜任负载切换、电源管理和信号路由等任务，让您的便携式设备运行更持久、响应更迅速。

它凭借仅990毫欧的低导通电阻和低至0.41nC的栅极电荷，显著降低了开关损耗和驱动功耗，直接为您提升整机能效。同时，其超小的X2DFN0806-6封装为您节省了宝贵的PCB面积，而20V的耐压和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，则确保了在各种应用环境下的坚固与可靠。选择它，就是为您的设计选择了一份高效与紧凑的保障。

• 型号:DMN21D1UDA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):455mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.41nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:31pF @ 15V
• 功率 - 最大值:310mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-6
• DMN21D1UDA-7B，Diodes产品一站式供应商。