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还在寻找一颗能同时兼顾高性能与小体积的双路开关解决方案吗？DMN2215UDM-7正是为您而来。这颗双N沟道MOSFET能让您的设计如虎添翼，其逻辑电平门特性让微处理器可以直接、轻松地驱动它，极大简化了您的电路设计。

凭借低至100毫欧的导通电阻，它能显著降低开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽，尤其适合电池供电的便携设备。紧凑的SOT-26封装为您节省下宝贵的电路板空间，让产品设计更加精巧。无论是用于电源负载开关、信号切换还是电机控制，它都能提供稳定可靠的性能，助您轻松应对各种设计挑战。

• 型号:DMN2215UDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:188pF @ 10V
• 功率 - 最大值:650mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 供应商器件封装:SOT-26
• DMN2215UDM-7，Diodes产品一站式供应商。