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您正在寻找一颗能轻松驾驭2A电流、在紧凑空间内实现高效电源控制的开关吗？DMN2230UQ-13正是为此而生。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有20V耐压和低至110毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源设计更高效、更凉爽。

它采用汽车级AEC-Q101标准，能在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，可靠性毋庸置疑。其SOT-23超小封装和优异的开关特性（低栅极电荷），让您能轻松将其集成到空间受限的便携设备、车载电子或高密度电源模块中，是实现高性能、高可靠性设计的得力助手。

• 型号:DMN2230UQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:188 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2230UQ-13，Diodes产品一站式供应商。