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还在为有限的电路板空间和散热问题头疼吗？DMN2250UFB-7B正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达1.35A的连续电流，其卓越的170毫欧低导通电阻，让您的电源路径损耗大幅降低，直接将更多电能用于驱动负载，从而显著提升整机效率并减少发热。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷和输入电容确保了迅猛的开关速度，让您的系统响应更快、运行更流畅。无论是用于负载开关、电机驱动还是电源转换，它都能让您的设计更加紧凑、性能更加可靠。选择它，就是选择了一种让产品更轻薄、续航更持久、竞争力更强的智能方案。

• 型号:DMN2250UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.35A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:170 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMN2250UFB-7B，Diodes产品一站式供应商。