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您正在寻找一颗能完美平衡性能、尺寸与效率的负载开关解决方案吗？DMN2300UFB-7B正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压和1.32A的连续电流能力，其核心魅力在于超低的导通电阻（仅175毫欧@4.5V）和极低的栅极电荷，能让您的系统开关损耗大幅降低，效率显著提升。

它专为空间受限的现代电子设备优化，采用微型的X1-DFN1006-3封装，几乎不占用PCB面积。同时，1.8V的低开启电压让您能轻松兼容各类低功耗MCU，实现高效、精准的电源控制。无论是用于电池供电设备的电源路径管理，还是作为信号链中的高效开关，它都能让您的设计更紧凑、运行更凉爽、续航更持久。

• 型号:DMN2300UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.32A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 300mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.89 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:67.62 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:468mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMN2300UFB-7B，Diodes产品一站式供应商。