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还在寻找一颗能完美平衡性能、尺寸与成本的功率开关解决方案吗？DMN2300UFD-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压和1.21A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通损耗（200mΩ @4.5V）和快速的开关特性（Qg仅2nC），能显著提升您设备的能效，延长电池续航。

它采用先进的3DFN超小型封装，为您节省宝贵的PCB空间，让产品设计更轻薄、更紧凑。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。无论是用于便携设备的负载开关、电源管理，还是电机驱动，它都能让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:DMN2300UFD-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.21A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 900mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:67.62 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
• DMN2300UFD-7，Diodes产品一站式供应商。