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还在寻找那颗能完美嵌入您紧凑设计的“心脏级”开关吗？DMN2320UFB4-7B正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET专为空间至上的应用量身打造，其超小的X2-DFN1006-3封装让您能轻松突破PCB布局的极限，为更多功能腾出宝贵空间。

它能让您高效掌控20V电压、1A电流范围内的负载。凭借低至1.8V的驱动电压，它能与您的微控制器直接对话，简化电路设计。更低的导通电阻意味着更少的能量损耗，直接提升终端设备的续航与效率。无论是用于便携设备的电源路径管理，还是精密信号的切换，它都能以稳定可靠的性能，成为您设计中不可或缺的微型动力引擎。

• 型号:DMN2320UFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 500mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.89 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:71 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:520mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN2320UFB4-7B，Diodes产品一站式供应商。