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还在为便携设备中笨重的功率开关而烦恼吗？DMN2400UFB-7将彻底改变您的看法。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有20V耐压和750mA的电流能力，专为空间受限的现代电子产品打造。

它的核心魅力在于高效与小巧的完美结合。仅需1.8V的低电压即可高效驱动，并在4.5V时实现仅550毫欧的低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的设备续航更持久。同时，其微型的3DFN封装让您能轻松实现高密度的电路板布局，为产品设计释放更多创意空间。

无论是用于电源路径管理、负载开关还是信号切换，DMN2400UFB-7都能以出色的性能和可靠性，让您的设计更精简、运行更高效，是提升终端产品竞争力的明智之选。

• 型号:DMN2400UFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMN2400UFB-7，Diodes产品一站式供应商。