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还在寻找一颗能兼顾高性能与微型化的开关管吗？DMN2400UFD-7正是为您量身打造的答案。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达900mA的连续电流，凭借其低至600毫欧的导通电阻和快速的开关特性，它能显著提升您电路的能效，减少发热，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用超紧凑的3DFN封装，为您节省宝贵的电路板空间，特别适合集成到对尺寸有严苛要求的便携式和物联网设备中。宽达-55°C至150°C的工作温度范围，让您无需担心环境挑战。选择DMN2400UFD-7，就是选择让您的设计更高效、更可靠、更富竞争力。

• 型号:DMN2400UFD-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:500 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
• DMN2400UFD-7，Diodes产品一站式供应商。