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还在寻找那颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关吗？DMN2400UFDQ-13 N沟道MOSFET就是为您而来的解决方案。它能让您轻松驾驭高达900mA的电流，并以低至600毫欧的导通电阻，极大降低开关损耗，直接提升您设备的能效与续航。

这颗芯片专为空间受限的现代电子设备优化。其微型的U-DFN1212-3封装节省了宝贵的电路板空间，而仅0.5nC的超低栅极电荷让驱动变得异常高效，显著加快系统响应速度。无论是用于电源管理、负载开关还是信号切换，它都能确保稳定、快速的性能，让您的设计更紧凑、运行更冷静。

• 型号:DMN2400UFDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 封装/外壳:3-PowerUDFN
• DMN2400UFDQ-13，Diodes产品一站式供应商。