我们为全球各个行业提供Diodes DMN2400UV-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能完美平衡性能与尺寸的开关解决方案吗？DMN2400UV-7就是您的理想答案。这颗双N沟道MOSFET阵列，专为空间紧凑、要求高效的应用而设计。

它能让您轻松实现高达1.33A的负载开关控制，其逻辑电平门控特性让您可以直接用微控制器的GPIO口驱动，无需复杂的电平转换电路，设计瞬间简化。超低的导通电阻（仅480毫欧）和栅极电荷，确保了极高的开关效率和最低的功率损耗，直接助力您的产品提升能效，延长续航。

无论是用于便携设备的电源管理，还是信号路径的切换，DMN2400UV-7都能以SOT-563超小封装的形态，为您提供稳定、可靠的性能，让您的设计更高效、更精巧。

• 型号:DMN2400UV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.33A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36pF @ 16V
• 功率 - 最大值:530mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMN2400UV-7，Diodes产品一站式供应商。