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还在为便携设备中笨重、低效的电源开关而烦恼吗？DMN2450UFB4-7B正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET能让您轻松实现高效、精准的电源开关控制，其仅400毫欧的低导通电阻能显著减少功率损耗，将更多电能用于设备运行，直接延长产品的续航时间。

它专为空间受限的应用而生，微型化的X2-DFN1006-3封装让您能在最紧凑的电路板上游刃有余地进行布局。同时，宽广的工作温度范围和低至1.8V的驱动门限，让您的设计适应力更强，开发更简单。选择它，就是为您的产品选择了可靠的心脏和持久的活力。

• 型号:DMN2450UFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:56 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN2450UFB4-7B，Diodes产品一站式供应商。