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您正在寻找一颗能轻松驾驭便携设备功率开关任务的芯片吗？DMN2450UFB4-7R正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和1A的连续电流能力，凭借低至400毫欧的导通电阻和仅1.3nC的栅极电荷，它能显著降低开关损耗和驱动功耗，让您的系统运行更加高效、冷静。

它采用超紧凑的X2-DFN1006-3封装，几乎不占用宝贵的PCB空间，非常适合对尺寸有苛刻要求的TWS耳机、智能手表、物联网模块等应用。其1.8V的低阈值开启电压，让您能轻松兼容各类低电压微控制器，实现精准的功率控制。无论是用于电源路径管理、负载开关还是电机驱动，它都能提供稳定可靠的性能，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMN2450UFB4-7R
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:56 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN2450UFB4-7R，Diodes产品一站式供应商。