我们为全球各个行业提供Diodes DMN24H3D5L-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗既能应对中高压场合，又极其节省空间的负载开关核心？DMN24H3D5L-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有240V的耐压和480mA的电流处理能力，让您在小巧的SOT-23封装内，轻松获得稳定可靠的功率开关性能。

它的魅力在于高效与易用。仅需3.3V的低驱动电压即可高效导通，完美适配现代低压数字控制系统，省去额外电路。同时，其优异的开关特性（低栅极电荷与输入电容）能显著提升能效，减少发热，让您的产品运行更冷静、更持久。无论是电源管理、电机驱动还是信号切换，它都能助您一臂之力。

• 型号:DMN24H3D5L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:240 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):480mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:188 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN24H3D5L-13，Diodes产品一站式供应商。