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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关芯片吗？DMN2501UFB4-7正是您的理想解决方案。这颗N沟道MOSFET能在您紧凑的电路板空间内，轻松实现高达1A电流的高效切换与控制。

它为您带来的核心价值是“以小搏大”。凭借仅1.8V的低驱动门槛和400毫欧的低导通电阻，它能显著降低系统功耗，延长电池寿命。同时，超快的开关响应让您的设备运行更迅捷。无论是用于便携设备的电源路径管理，还是作为精密电路中的信号开关，它都能让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:DMN2501UFB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:82 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN2501UFB4-7，Diodes产品一站式供应商。