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还在寻找那颗能完美平衡性能与尺寸的开关芯片吗？DMN25D0UFA-7B正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有25V的耐压和240mA的驱动能力，其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的便携设备电源管理更加高效、节能。

它能让您轻松实现精准的负载开关与电源路径控制，特别适用于对空间和功耗极度敏感的智能穿戴、IoT传感器、无线耳机等产品。其超小的X2-DFN0806-3封装为您节省每一毫米的电路板空间，而宽泛的工作温度范围则确保了产品在各种环境下的稳定运行。选择它，就是为您的设计注入一颗高效而可靠的心脏。

• 型号:DMN25D0UFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.36 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.9 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:280mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN25D0UFA-7B，Diodes产品一站式供应商。