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还在为电路板空间捉襟见肘而发愁吗？DMN26D0UDJ-7双N沟道MOSFET阵列就是您的空间魔术师。它采用极致的SOT-963封装，占用面积微乎其微，却集成了两个独立的逻辑电平MOSFET，让您轻松实现高密度布局，为产品小型化扫清障碍。

这颗芯片能为您做什么？它让您能够用极低的控制电压（最低仅需约1V）高效开关小功率负载。无论是驱动微型继电器、管理LED灯串的亮灭，还是作为精密模拟开关的一部分，其240mA的电流能力和20V的耐压都提供了充足的余量。其超低的输入电容（仅14.1pF）意味着极快的开关速度和极低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体能效更高。

选择它，就是选择了一种可靠且省心的设计方式。它宽温工作、性能稳定，是便携设备、传感器模块、智能穿戴等对空间和功耗极度敏感应用的理想心脏。让DMN26D0UDJ-7助您轻松驾驭精妙电路，高效释放产品潜能。

• 型号:DMN26D0UDJ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-963
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.05V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14.1pF @ 15V
• 功率 - 最大值:300mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-963
• 供应商器件封装:SOT-963
• DMN26D0UDJ-7，Diodes产品一站式供应商。