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还在为电路板上的空间捉襟见肘而烦恼吗？DMN26D0UT-7这颗超小型N沟道MOSFET，就是为您解放空间、提升效率的得力助手。它能在仅1.2V的低电压下迅速响应，轻松完成信号切换或小功率负载驱动任务，让您的微控制器指令得到精准、高效的执行。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅3欧姆的低导通电阻，最大限度地减少了开关过程中的能量损耗，将更多电力用于实际工作，显著提升系统整体能效。无论是用于便携设备的电源路径管理，还是作为传感器电路的精密开关，DMN26D0UT-7都能以稳定的性能和微小的身躯，助您打造出更节能、更紧凑、更具竞争力的电子产品。

• 型号:DMN26D0UT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14.1 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN26D0UT-7，Diodes产品一站式供应商。