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您正在设计一款需要精密电源控制的新产品吗？DMN2990UFA-7B正是您理想的伙伴。这颗N沟道MOSFET能为您高效地开关微小电流，其超低的导通电阻和栅极电荷让开关损耗降至最低，从而显著提升系统的整体能效，让您的设备运行更持久、更凉爽。

它能在低至1.2V的驱动电压下可靠工作，轻松兼容各类低压微处理器和电池供电场景。同时，其微型的3-DFN封装为您节省宝贵的电路板空间，让设计更紧凑、更优雅。选择它，就是选择了一种高效、可靠且节省空间的智能开关解决方案。

• 型号:DMN2990UFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):510mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.6 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN2990UFA-7B，Diodes产品一站式供应商。