我们为全球各个行业提供Diodes DMN2990UFB-7B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否在寻找一颗既能胜任精密开关任务，又足够节省空间的MOSFET？DMN2990UFB-7B正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压和780mA的连续电流能力，专为低压、小电流的高效控制场景优化。

它能让您轻松实现高效的负载开关与电源路径管理。其关键优势在于极低的驱动需求（最低1.8V）和超快的开关特性（栅极电荷仅0.41nC），这直接转化为更低的系统功耗和更迅捷的响应速度。同时，它采用微型3DFN封装，能帮助您大幅压缩PCB布局空间。

更重要的是，它符合AEC-Q101车规标准，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的卓越可靠性。无论是便携设备还是汽车电子，选择DMN2990UFB-7B，就是为您的设计注入了高效与稳定的基因。

• 型号:DMN2990UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 780MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):780mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.41 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:31 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:520mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMN2990UFB-7B，Diodes产品一站式供应商。