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还在为寻找一颗能扛起大电流、又保持冷静高效的功率开关而烦恼吗？DMN3005LK3-13就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET以其仅5毫欧的超低导通电阻，让您在处理高达14.5A电流时，也能将功率损耗和发热降至最低，从而轻松实现更高的系统能效和更简洁的散热设计。

它就像您电路中的“高效指挥官”，在30V的电压舞台上，凭借优异的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保电源转换、电机驱动等应用运行既快速又稳定。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的动力核心。

• 型号:DMN3005LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4342 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.68W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN3005LK3-13，Diodes产品一站式供应商。