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DMN3008SCP10-7 零件图片(仅供参考)

DMN3008SCP10-7
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DMN3008SCP10-7 规格参数

还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起高效能大旗的MOSFET而烦恼吗?DMN3008SCP10-7正是为您而来的解决方案!它专为25V至30V的应用场景优化,能轻松胜任您的DC-DC转换、电源开关等关键任务,让您的设计在效能与体积之间找到完美平衡点。

这颗芯片能为您做什么?它能让您的系统运行得更“冷静”、更高效。通过显著降低导通损耗,它直接转化为更长的电池续航和更小的散热压力,让您轻松设计出更轻薄、更可靠的终端产品。无论是便携设备还是各类电源模块,选择DMN3008SCP10-7,就是为您的项目注入了一颗强劲而可靠的“心脏”。

  • 型号:DMN3008SCP10-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.8 毫欧 @ 7A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):31.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1476 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.7W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 供应商器件封装:-
  • 封装/外壳:-
  • DMN3008SCP10-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMN3008SCP10-7 基本参数:

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