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还在为功率转换效率不高而头疼？DMN3008SFGQ-13正是为您解忧的利器。这颗30V N沟道功率MOSFET，拥有惊人的低导通电阻（仅4.4毫欧），能大幅降低开关过程中的能量损耗，直接为您提升系统能效，让热量管理变得更轻松。

它能够高效地为您处理高达62A的连续电流，是电机驱动、DC-DC转换和负载开关等应用的理想选择。其符合汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C至150°C的严酷温度范围内稳定工作，赋予您的产品卓越的可靠性和耐久性。选择它，就是选择了一种高效、可靠的功率管理方式。

• 型号:DMN3008SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.6A（Ta），62A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3690 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3008SFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。