我们为全球各个行业提供Diodes DMN3009LFV-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能在大电流应用中同时兼顾高效率与高可靠性的“核心开关”？DMN3009LFV-7正是为此而生。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达60A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅5.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为 demanding 的电源管理场景优化。无论是进行同步整流，还是作为电机驱动、负载开关中的主控开关，其优异的开关特性（低栅极电荷Qg）都能让您轻松实现高频操作，提升整体功率密度。PowerDI3333封装确保了出色的散热性能和紧凑的占板面积，完美适配空间受限的现代电子设计。

选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”，让您在提升性能的同时，有效控制温升与能耗，轻松应对从工业电源到高端消费电子的各种挑战。

• 型号:DMN3009LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3009LFV-7，Diodes产品一站式供应商。