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您是否正在寻找一颗能在大电流下保持冷静、在紧凑空间内发挥强大效能的功率开关？DMN3009SFG-13正是您的理想之选。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达45A（Tc）的连续电流能力，其核心魅力在于极低的5.5毫欧导通电阻，能大幅降低导通损耗，直接提升系统效率并减少发热。

它让您轻松应对高密度电源设计挑战。优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）确保了快速、高效的功率切换，而PowerDI3333-8封装则完美平衡了功率处理与空间占用。无论是同步整流、电机驱动还是负载开关，DMN3009SFG-13都能以卓越的电气性能和可靠性，助您构建更高效、更紧凑、更具竞争力的电子产品。

• 型号:DMN3009SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3009SFG-13，Diodes产品一站式供应商。