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还在为功率转换电路的效率瓶颈而烦恼吗？让DMN3009SFGQ-7来为您破局！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，以其5.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效，让热量管理变得更轻松。

它能在30V电压下承载高达16A的连续电流，并具备快速的开关响应能力。采用坚固的PowerDI3333-8封装，确保优异的散热和可靠性，完全符合汽车级AEC-Q101标准。无论是用于电机驱动、电源管理还是负载开关，它都能让您的设计更高效、更紧凑、更可靠。

• 型号:DMN3009SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3009SFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。