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还在寻找那颗能兼顾高效能与高可靠性的功率开关吗？DMN3009SSS-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有仅5.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动方案效率更高、运行更凉爽。

它支持高达15A的连续电流和30V的电压，配合4.5V的低驱动门槛和快速的开关特性，让您能轻松设计出响应迅捷、结构精简的电路。无论是消费电子还是工业设备，它都能助您打造出更节能、更紧凑、性能更卓越的产品。

• 型号:DMN3009SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8SO T\\u0026R 2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN3009SSS-13，Diodes产品一站式供应商。