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还在为寻找一颗能同时兼顾高效率、小体积和高可靠性的开关管而费神吗？DMN3010LFG-7正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和11A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于仅8.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通状态下的功率损耗，直接提升您的终端设备能效。

它采用先进的PowerDI3333-8表面贴装封装，让您能在极其紧凑的空间内实现高功率密度设计，完美适配便携式电子产品对小型化的严苛要求。同时，宽广的工作温度范围和优化的开关特性，确保您的应用在各种环境下都能稳定、高效地运行。选择它，就是为您的设计选择了一份从容与高效。

• 型号:DMN3010LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2075 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3010LFG-7，Diodes产品一站式供应商。