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还在寻找那颗能完美平衡开关速度与导通损耗的MOSFET吗？DMN3010LK3-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达43A（Tc）的电流处理能力，其核心魅力在于极低的9.5毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用4.5V至10V的标准驱动电压，易于驱动，配合TO-252封装出色的散热特性，让您在设计高功率密度应用时更加得心应手。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，DMN3010LK3-13都能以卓越的性能，成为您电路中可靠而强大的“开关卫士”。

• 型号:DMN3010LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.1A（Ta），43A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2075 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN3010LK3-13，Diodes产品一站式供应商。