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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭中低压、大电流场景的高效开关？DMN3010LSS-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有30V的漏源电压和高达16A的连续电流能力，其核心魅力在于超低的9毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松实现快速、干净的开关动作。优化的栅极电荷与电容参数，确保了在高频工作状态下依然响应迅捷，有效减少开关损耗，提升整体系统能效。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，它都能提供稳定可靠的性能。

此外，其坚固的设计支持-55°C至150°C的结温工作范围，并采用节省空间的8-SOP表面贴装封装，非常适合对可靠性和空间有严苛要求的现代化紧凑型设计。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与安心的保障。

• 型号:DMN3010LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2096 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN3010LSS-13，Diodes产品一站式供应商。