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还在寻找一颗能同时搞定高效电源切换和强劲负载驱动的“全能选手”吗？DMN3012LDG-13正是为您而来！这颗双N沟道MOSFET阵列，凭借最低仅6毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。

它能让您轻松驾驭高达30V电压和20A电流的挑战，无论是用于同步整流提升适配器效率，还是作为负载开关智能管理多个电路模块，亦或是驱动小型电机，它都能提供高效、可靠的性能。其紧凑的8-PowerLDFN封装为您节省宝贵的PCB空间，助力产品设计更加轻薄小巧。

选择它，就是选择了一种高效、集成化的解决方案，它能简化您的设计，提升系统整体可靠性，让您专注于产品创新，而无须在功率损耗和空间布局上过多妥协。

• 制造商产品型号：DMN3012LDG-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：2 N-通道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta），20A（Tc）
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A，1.15V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：850pF @ 15V，1480pF @ 15V
• 功率-最大值：2.2W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-PowerLDFN
• DMN3012LDG-13，Diodes产品一站式供应商。