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还在为寻找一颗既能承载大电流又足够紧凑高效的双MOSFET而烦恼吗？DMN3012LDG-7正是您期待的答案。这颗芯片能为您做什么？它集成了两个性能优异的N沟道MOSFET，让您轻松实现同步整流、负载开关或电机驱动等关键功能，将系统效率提升至新高度。

凭借其低至6毫欧的导通电阻和高达20A的电流处理能力，它能显著降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。同时，优化的栅极电荷设计确保了快速的开关响应，非常适合空间受限且对效率有严苛要求的便携式设备、电源适配器和分布式电源系统。选择DMN3012LDG-7，就是选择了一种让设计更简单、性能更卓越的可靠路径。

• 制造商产品型号：DMN3012LDG-7
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：2 N-通道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta），20A（Tc）
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A，1.15V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：850pF @ 15V，1480pF @ 15V
• 功率-最大值：2.2W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-PowerLDFN
• DMN3012LDG-7，Diodes产品一站式供应商。