我们为全球各个行业提供Diodes DMN3012LEG-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间有限却需要强大驱动力的设计而烦恼吗？DMN3012LEG-13双N沟道MOSFET阵列就是您的理想答案。它能为您提供高达30V的耐压和20A（Tc）的连续电流能力，凭借最低仅6毫欧的超低导通电阻，大幅降低开关损耗和发热，让您的电源管理或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片集双通道于微型PowerDI333封装，为您极致节省PCB空间，简化布局。其快速的开关特性（低栅极电荷）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您能在各种紧凑型、高要求的应用中轻松实现稳定可靠的性能，无论是便携设备、汽车电子还是工业控制，都能助您一臂之力。

• 型号:DMN3012LEG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），20A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A，1.15V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
• DMN3012LEG-13，Diodes产品一站式供应商。