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还在为功率转换效率低下和PCB空间紧张而烦恼吗？DMN3012LEG-7双N通道MOSFET阵列正是为您量身打造的解决方案。它集成了两个高性能的MOSFET，拥有低至6毫欧的导通电阻和高达20A的电流处理能力，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源管理系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能轻松胜任同步整流、电机驱动、负载开关等关键任务。其极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，从而提升整体系统频率和动态响应。采用紧凑的PowerDI333封装，它能帮您最大化节省宝贵的电路板空间，同时凭借出色的热性能，让您在设计高功率密度应用时充满信心，游刃有余。

• 型号:DMN3012LEG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），20A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A，1.15V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
• DMN3012LEG-7，Diodes产品一站式供应商。