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还在为寻找既能节省空间又能扛起大电流的功率开关而烦恼吗？DMN3012LFG-7正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated打造的双N沟道MOSFET阵列，集成了两个高性能的30V开关，其导通电阻最低可达惊人的6毫欧，能轻松应对高达20A的连续电流。这意味着它能极大地降低您在DC-DC转换、电机控制或电源分配路径上的导通损耗，直接提升系统整体效率，并减少散热设计压力。

它采用紧凑的8-PowerLDFN封装，非常适合高密度PCB布局，让您的设计更加小巧精悍。同时，优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让您能实现更高频率的开关操作，从而有机会使用更小、更便宜的被动元件。选择DMN3012LFG-7，就是选择了一种更高效、更紧凑、更可靠的功率管理方式，让您的产品动力澎湃，运行冷静。

• 型号:DMN3012LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A，1.15V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
• DMN3012LFG-7，Diodes产品一站式供应商。